2-44 什么是N沟道耗尽型绝缘栅型场效应晶体管？

制造MOSFET时，如果在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子，即使U_GS=0，这些正离子产生的电场也能在衬底表面感应出较多的自由电子，从而形成原始导电沟道，如图2-37所示。

在U_DS为定值的情况下，当U_GS=0时，漏-源极间已可导通，形成原始导电沟道的漏极电流I_DSS。当U_GS>0时，导电沟道变宽，I_D随U_GS增大而增大。U_GS<0时，导电沟道变窄，I_D减小。当U_GS达到某一负值时，导电沟道的电子因复合而耗尽，沟道被夹断，I_D≈0，这时的U_GS称为夹断电压，用U_GS（off）表示。由上述可知，耗尽型场效应晶体管对其栅极施加正、负电压时，都有控制漏极电流I_D的作用，但通常工作在负栅压状态。

图2-37 N沟道耗尽型绝缘栅型场效应晶体管

a）原理结构图 b）图形符号

图2-38所示为N沟道耗尽型绝缘栅型场效应晶体管的转移特性曲线和漏极特性曲线。

图2-38 N沟道耗尽型绝缘栅型场效应晶体管的特性曲线

a）转移特性曲线 b）漏极特性曲线

同样在N型硅衬底上可制造出P沟道耗尽型绝缘栅型场效应晶体管，其图形符号及特性曲线见表2-5。

表2-5 绝缘栅型场效应晶体管的特性比较

（续）