![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
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2.4.2 本征等效电路模型
图2.18给出了八边形片上螺旋电感的等效电路模型,虚线框内为本征基本单元,L0表示本征电感,R1表示损耗电阻,电阻R2和电感L1的并联结构用来模拟趋肤效应。基本单元的Y参数可以表示为:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_25.jpg?sign=1738906314-Cyk4UtTLrqqamwvonivMloj885fXS0aI-0-7b7eceaa0454fde311a701ab2685c177)
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_26.jpg?sign=1738906314-0GupkVpO8vBlONfYHpBsMsLZ8RYwefya-0-248dfd6e9179cfb19e50167e49b38187)
图2.18 八边形片上螺旋电感的等效电路模型
在低频段,电感L0和L1之和可以通过1/Yint的虚部获得:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_27.jpg?sign=1738906314-Pguc2H541ZP5SUAJWDuPtczv87pqukOM-0-006835b329b241bf2e7f92b68ec6ded0)
电阻R1可以由1/Yint的实部确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_28.jpg?sign=1738906314-MKARNDUneMd7PMEgbhBWagkSBbdQCrdk-0-e65ee9b8eed7c0ad7540d4a941f9c15f)
削去R1+jω(L0+L1)后可以得到:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_29.jpg?sign=1738906314-TFgI1C8fvLzFHeTkSoOkJwBYAjofaAqp-0-c661d23c9697922538081987f9392de7)
这样电阻R2和电感L1可以由下面的公式直接确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_30.jpg?sign=1738906314-drSuhVS5aIRB0MKbOJFvmTsxgPudPqYL-0-2adf5578098b90bea489f7c2327282ff)
这里:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_31.jpg?sign=1738906314-F4LhautBiIF2tlfxBKAPBv7PBzgghaK5-0-4033218b83e10dfa9c03da7ebe9ac830)
由于本征基本单元在整个模型中占主导地位,而衬底效应模型元件不能直接通过解析式确定,所以需要后续优化。因此上述方法可以被视为一个后续优化过程的最初假设,通过该过程可以得到最终的模型参数。