1.4.2 内装元器件的可靠性保证

1.半导体分立器件和集成电路芯片

半导体分立器件和集成电路芯片的可靠性保证要求，包括电性能、环境适应性、可靠性和微组装工艺适应性。

芯片的电性能，对半导体分立器件芯片、集成电路芯片在室温（25℃）、高温（最高额定工作温度）、低温（最低额定工作温度）条件下的电性能进行考核。电性能测试可在晶片上进行，当芯片从晶片上分离后，需要对独立的裸芯片进行测试。裸芯片电测试采取两种方式：一是利用探针无损测试、抽样测试或100%测试；二是模拟正常微组装生产工艺，将芯片组装到合适的分立器件外壳里，利用外壳引出端进行测试，只能抽样测试。

芯片的环境适应性，针对服役期间可能承受的环境应力类型，考核ESD、温度循环、机械冲击或恒定加速度的环境适应性。

芯片的可靠性，针对芯片潜在缺陷和长期服役性能退化问题，采用最大额定条件老炼（125℃时间240h，100%芯片）剔除有潜在缺陷的芯片，采用最大额定条件实施稳态寿命试验（125℃时间1000h，必要时抽样）考核芯片可靠性。

芯片的微组装工艺适应性，针对芯片对引线键合工艺的适应性进行考核，采用内引线键合强度试验方法，确认芯片键合盘金属化层能够适应引线键合工艺。

上述电性能、环境适应性、可靠性和工艺适应性的考核，都离不开对裸芯片的测试。长期以来对裸芯片的测试一直困扰行业，但随着已知良好芯片（Know Good Die，KGD）技术的发展，推动裸芯片临时封装夹具的应用，可实现对裸芯片的无损测试和老化筛选。

2.无源元件

无源元件包括片式电阻器、电容器、电感及变压器等，其可靠性保证要求包括电性能、环境适应性和微组装工艺适应性。若元件按相关标准中有可靠性指标的系列产品选用，或已列入QPL时，则不要求按此考核。

无源元件的电性能，在室温（25℃）、高温（最高额定工作温度）、低温（最低额定工作温度）条件下进行电性能考核。片式电阻器：直流电阻；瓷介电容器：介质耐压、绝缘电阻、电容量和损耗；钽电容器：直流漏电流、电容量和损耗；金属绝缘半导体型电容器：直流漏电流、电容量和介质耐压；电感器：直流电阻、电感量和Q。

无源元件的环境适应性，针对元件组装工艺过程和预期服役承受的应力类型，考核温度循环、机械冲击或恒定加速度的环境适应性。

无源元件的可靠性，针对元件潜在缺陷问题，采用最大额定条件老炼，剔除有潜在缺陷的元件。

无源元件的组装工艺适应性，针对在组装工艺中采用内引线键合工艺的元件，进行引线键合工艺强度考核，确认元件端电极金属化层能够适应引线键合工艺。